X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

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X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

频率：38.4MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ，尺寸为2520mm,频率为38.4MHZ,电压1.6V~2.2.V，支持输出CMOS，有源晶振,SPXO晶体振荡器,爱普生晶振,石英晶体振荡器，有源贴片晶振,日本进口晶振，低电压晶振，低耗能晶振，高质量晶振，OSC振荡器，可穿戴设备晶振，无线模块晶振，北斗模块晶振，蓝牙音响晶振，汽车专用晶振，X1G0036410013晶振，X1G0036410019晶振。
有源晶体振荡器产品主要被广泛应用于可穿戴设备，无线模块，蓝牙音响，投影仪，汽车等领域。X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ.

订购热线：0755-27876201

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ，尺寸为2520mm,频率为38.4MHZ,电压1.6V~2.2.V，支持输出CMOS，有源晶振,SPXO晶体振荡器,爱普生晶振,石英晶体振荡器，有源贴片晶振,日本进口晶振，低电压晶振，低耗能晶振，高质量晶振，OSC振荡器，可穿戴设备晶振，无线模块晶振，北斗模块晶振，蓝牙音响晶振，汽车专用晶振，X1G0036410013晶振，X1G0036410019晶振。

有源晶体振荡器产品主要被广泛应用于可穿戴设备，无线模块，蓝牙音响，投影仪，汽车等领域。X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ.

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ 参数表

项目

规格说明

条件

SG-211SEE

SG-211SDE

SG-211SCE

输出频率范围

2.375 MHz ~ 60.000 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.8 V Typ.
1.6 V ~ 2.2 V

2.5 V Typ.
2.2 V ~ 2.7 V

3.3 V Typ.
2.7 V ~ 3.63 V

储存温度

T_stg

-40 oC ~ +125 °C

裸存

工作温度

T_use

-40 oC ~ +90 °C

频率稳定度

f_tol

D : 20 10-6 , E : 15 10-6

-20 oC ~ +70 oC

VCC 10 %
回流漂移包含

H : 20 × 10-6 , T : 15 × 10-6

-40 oC ~ +85 oC

a: ±15 × 10-6 , b: ±20 × 10-6 ,d: ±25 × 10-6

-40 oC ~ +90 oC

功耗

ICC

2.3 mA Max.

2.5 mA Max.

3.5 mA Max.

无负载条件, 2.375 MHz ≤ f0 32 MHz

2.8 mA Max.

3.0 mA Max.

4.0 mA Max.

无负载条件, 32 MHz < f0 40 MHz

3.3 mA Max.

3.5 mA Max.

4.5 mA Max.

无负载条件, 40 MHz < f0 48 MHz

4.5 mA Max.

5.0 mA Max.

6.0 mA Max.

无负载条件, 48 MHz < f0 60 MHz

待机电流

I_std

5.0 µA Max.

ST =GND

占空比

SYM

45 % ~ 55 %

50 % VCC 级别, L_CMOS 15 pF

输出电压

VOH

90 % VCC Min.

IOH=-4 mA

VOL

10 % VCC Max.

IOL= 4 mA

输出负载条件(CMOS)

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80 % VCC Min.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr/ tf

4.5 ns Max.

20 % VCC ~ 80 % VCC 极
L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

5 ms Max.

在 90 % VCC 时，所需时间为 0 秒

频率老化

f_aging

频率稳定度包含

+25 °C, 第一年， VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ 尺寸图

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

X1G0036410016晶振 特点：

频率范围：2.375MHz ~ 60MHz

电源电压： 1.8 VTyp. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ.

电流消耗： 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz)

功能：待机 ( ST )

外部尺寸规格：2.5×2.0×0.7mm

更多相关日本爱普生有源晶体型号

编码	品牌	型号	频率	尺寸	输出方式	电源电压	工作温度
X1G0036410002	爱普生晶振	SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410003	爱普生晶振	SG-211SEE	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410004	爱普生晶振	SG-211SEE	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410005	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410006	爱普生晶振	SG-211SEE	37.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410008	爱普生晶振	SG-211SEE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410009	爱普生晶振	SG-211SEE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410010	爱普生晶振	SG-211SEE	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410011	爱普生晶振	SG-211SEE	49.152000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410013	爱普生晶振	SG-211SEE	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410014	爱普生晶振	SG-211SEE	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410015	爱普生晶振	SG-211SEE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410016	爱普生晶振	SG-211SEE	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410017	爱普生晶振	SG-211SEE	12.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410018	爱普生晶振	SG-211SEE	13.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410019	爱普生晶振	SG-211SEE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410020	爱普生晶振	SG-211SEE	33.333300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410022	爱普生晶振	SG-211SEE	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410023	爱普生晶振	SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410024	爱普生晶振	SG-211SEE	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410025	爱普生晶振	SG-211SEE	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410026	爱普生晶振	SG-211SEE	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410027	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410028	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410030	爱普生晶振	SG-211SEE	37.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410031	爱普生晶振	SG-211SEE	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410032	爱普生晶振	SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410033	爱普生晶振	SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410034	爱普生晶振	SG-211SEE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410035	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410036	爱普生晶振	SG-211SEE	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410037	爱普生晶振	SG-211SEE	15.625000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410038	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410039	爱普生晶振	SG-211SEE	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410041	爱普生晶振	SG-211SEE	50.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410042	爱普生晶振	SG-211SEE	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 90 °C
X1G0036410043	爱普生晶振	SG-211SEE	19.200000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C
X1G0036410044	爱普生晶振	SG-211SEE	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C
X1G0036410045	爱普生晶振	SG-211SEE	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-20 to 70 °C

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