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台技SMD晶体7M-25.000MAKV-T与逆变器的秘密揭晓!6G晶振物料

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浏览:- 发布日期:2023-06-28 14:30:33【
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台技SMD晶体7M-25.000MAKV-T与逆变器的秘密揭晓!6G晶振物料,TXC是一家专注于研发设计高品质元器件的制造商,十分擅长开发石英晶振产品,通过自身的努力,以及对于行业的深度观察与探究,发现新的机会,同时针对新的机会,开发设计出来性能优越,具有成本效益的优质产品,耐心打磨陶瓷谐振器产品编码7M-25.000MAKV-T,型号7M,尺寸为3.20mm x 2.50mm,频率为25MHZ,频率稳定性为60ppm ,工作温度为-40°C~+125°C,产品具备高性能高精度的特点。

产品特性:频率范围:10MHz~114MHz,陶瓷SMD封装,接缝密封,外形尺寸(mm)高:3.2×宽:2.5×高:0.7,符合RoHS标准,不含铅,产品主要应用范围:蓝牙,无线局域网,手机,传呼机,DSC,显示,电视,电脑外围设备,消费产品等领域。
TXC公司多年来,始终以提升客户价值为目标,是以无论在价格、质量、交期、服务等方面,均尽力尽心于超越客户的期待,并以能成为客户最佳的策略合作伙伴自我敦促,同时也开始深入了解石英晶振产品的细枝末节.

原厂编码 厂家 型号 系列 频率 频率稳定度 工作温度
7A-24.576MBBK-T TXC晶振 7A MHz Crystal 24.576MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7M-50.000MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 50MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-16.666670MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 16.66667MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-30.000MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-30.000MAAJ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-38.400MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 38.4MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-40.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 40MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7M-27.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 27MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
8Z-16.66667MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16.66667MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-24.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 24MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7M-25.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 25MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7V-24.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-27.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-19.200MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 19.2MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-30.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-16.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 16MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-20.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-14.7456MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 14.7456MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-24.000MAKV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7V-25.000MAKV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 25MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
8Z-38.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 38MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-48.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 48MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-26.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 26MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-12.500MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 12.5MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-25.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 25MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KBZF-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-16.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-20.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
9HT11-32.768KBZY-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KBZF-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KBZC-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
7B-14.31818MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 14.31818MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
9HT11-32.768KBZB-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
7B-27.000MBBK-T TXC晶振 7B MHz Crystal 27MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7B-12.000MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 12MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-40.000MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 40MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AA-10.000MAGY-T TXC晶振 AA MHz Crystal 10MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
AA-8.192MAGE-T TXC晶振 AA MHz Crystal 8.192MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
AA-25.000MALE-T TXC晶振 AA MHz Crystal 25MHz ±150ppm -40°C ~ 125°C
7M-20.000MBBK-T TXC晶振 7M MHz Crystal 20MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7V-20.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 20MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Y-27.120MAAE-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 27.12MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AV-28.63636MAGV-T TXC晶振 AV MHz Crystal 28.63636MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
8Z-26.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 26MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZB-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-16.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-20.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-27.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZC-T 台湾晶技 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-24.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 24MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZY-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-25.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 25MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7V-24.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7M-37.400MEEJ-T TXC晶振 7M MHz Crystal 37.4MHz ±10ppm -20°C ~ 70°C
7M-32.000MBBK-T TXC晶振 7M MHz Crystal 32MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KDZY-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Y-25.000MAAV-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 25MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-27.120MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27.12MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-12.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 12MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7M-19.200MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 19.2MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-14.7456MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 14.7456MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-18.432MAAJ-T TXC晶振 7B MHz Crystal 18.432MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KDZC-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Y-38.400MAAV-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 38.4MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AX-9.84375MAGV-T TXC晶振 AX MHz Crystal 9.84375MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
8Y-20.000MAAE-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-28.63636MAAJ-T TXC晶振 7B MHz Crystal 28.63636MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-27.000MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 27MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-20.000MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AV-24.000MAGV-T TXC晶振 AV MHz Crystal 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
7V-16.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 16MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
AX-16.9344MAGV-T TXC晶振 AX MHz Crystal 16.9344MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
在“次谐振”选择框中,振动夸克的动态分支可以使用 C1、L1 和 R1 与C1n,L1n和R1n的分支平行切换:所谓的副共振。在图1中,她选择了 'R1n =10 x R1',并在适当设置'温度'时作为主谐振旁边的小尖峰 承认。

顺便说一句,并联共振频率现在稍高,因为在模拟中假设次共振C1为主共振的10%,因此根据距离串行/并联共振 等式2有助于(但这仅在主要和干扰序列共振频率接近时 一致!)。台技SMD晶体7M-25.000MAKV-T与逆变器的秘密揭晓!6G晶振物料.

tu 21

与所需的振动频率相反,这些干扰的副共振通常具有非常高的振动频率。 高度依赖温度。人们可以测量“温度”,从而测量干扰共振的频率。 通过移动滑块来改变模拟。

如果使用具有指定负载能力的贴片石英晶振,则副共振的影响可能仍然存在。 显著增加(图2)。根据干扰参数的值,共振电阻可能相当大。 放大,正确的共振可以移动,或者它甚至可以是两个大致相同的强度 形成明显的共振点。

tu 24

大多数微处理器使用皮尔斯电路中的石英振荡器作为时钟设置。活跃的接管一个逆变器。

tu 25

皮尔斯振荡器与逆变器反馈网络为饰 Grundtonquarz (用于工作电压或稳定电压的元件) 工作项目未显示)

逆变器的输出电阻与电阻 Rv 和 PI胶体Cb/Quarz/Ca 一起构成 带有频率依赖性相位移的窄带通道。根据振动条件,整个阶段必须 是360°. 逆变器提供 180°, 通常更多一点, 由于额外的, 半导体相关的 因此,通过带通的外部相位移可能略小于180° 是。

设置外部分量的值,使振幅分量和相位分量满足振动条件而不超过最大石英载荷;一般来说,一个好的找到妥协。选择相同大小的Ca和Cb是没有意义的,大约是两倍。 另一方面,有意义的是通过压电石英晶体的“非对称”电路进行阻抗转变Ca的第一个引用值比指定的负载能力高 10-20%,第一个值为 Cb 至少是Ca 值的两倍。

Rv的选择应足够大,以便不超过允许的石英负荷。应该与那些Rv和Cb控制器将传输功能调整到精确的频率、正确的石英载荷和最佳的形状。 优化谐振曲线. 这不一定需要设置的最高电压增益 反馈网络,如果逆变器提供足够的增益!

在“结构”菜单中,Y-QUARTZ应用程序提供了模拟和优化此类PierceOszillator的反馈网络的能力。

tu 26

皮尔斯振荡器,对称(22pF / 22pF / 300Ω)和非对称选择 Ca和Cb(18/110pF)

在图5中,过低的自适应电阻RV的不利影响再次得到证明。其中 超过了允许的石英无源晶体负荷。其次,必要的阶段转换 从180°仅以这种方式和在具有低相分离度的点。此外,还有最大幅度 相位180°不处于相同的频率。

tu 28

Pierce 振荡器 小RV

逆变器的实际输入电阻可以使用Rin滑块进行模拟。 在最终电路中,Ca和Rb应围绕输入电容和输出电阻的值。 将减少逆转。

Pierce电路需要具有负载能力的振动方块,如果没有额外的电感串联转化为石英。

因此, 有一些自由度, 用于在最佳电阻 Rv 上调整电路尺寸可以导向。 在所示的示例中,一个容量Cs串联切换到石英。它可以作为投票元素;它但是,Ca和Cb的容量也会更大,这会影响晶体管参数的温度依赖性和放松。

快速通道
pass
+ 快速通道