遥遥领先希华石英晶体谐振器隐知识解析，晶振电路无信号输出？
步骤1-1。请检查SMD晶振输入端(Xin)和输出端(Xout)的电压，并检查电压是否符合IC规范。
步骤1-2。请卸载晶体，并使用专业测试机器测试其频率和负载电容，看看它们是否振动并符合您的规格。您也可以将其发送给供应商，让他们为您进行测试。
步骤1-3。如果晶体不振动，其负载电容与您的规格不匹配，或者当前频率与您的目标频率之间存在巨大差距，请将晶体发送给您的供应商进行质量分析。
步骤1-4。如果频率和负载电容符合你的规格，但问题也存在。需要执行振荡电路评估。您也可以将其发送给供应商，让他们为您进行测试。
步骤1-5。下图所示为一般振荡电路，其中Cd和Cg为外部负载电容，Rf为反馈电阻，Rd为限流电阻。
负电阻(-R)是评价振荡电路好坏的标准，其值至少应为晶振电阻的5倍，以维持稳定的振荡。因此，按照以下说明测量负电阻非常重要:
(1)将电阻(Rx)与晶体串联
(2)从振荡的起点到终点调整Rx的值。
(3)测量振荡期间Rx的值。
(4)你将能够获得负电阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶体电阻。
步骤1-6。如果IC的负电阻太低，无法驱动电路，我们提出三种解决方案来改善这种情况。
(1)降低限制电阻器(Rd)的值。但是，您还应该确认频移和晶体驱动电流是否同时符合规格。
(2)降低外部电容(Cg和Cd)的值，采用负载电容(CL)较低的其他晶体。
(3)采用电阻(Rr)较低的晶体。遥遥领先希华石英晶体谐振器隐知识解析.
步骤2-1。如果频率计测得的频率超出限值，我们应增加外部电容CL(或Cd & Cg的值)，以将频率降低至我们的目标频率，反之亦然。
第2-2步。如果频率远高于目标频率，我们可以采用电容较低的晶体，反之亦然。
晶体参数的测试方法是什么？
将“pi电路”连接到具有测量等效常数功能的网络分析仪，并进行测量。JIS和IEC规定了“pi电路”的形状和内部电阻，如下所示。
如何描绘振荡器电路的工作原理？
晶体控制振荡器可被视为由一个放大器和一个反馈网络组成，该反馈网络选择放大器输出的一部分并将其返回到放大器输入。这种电路的一般描述如下所示。
为了使振荡器电路工作，必须满足两个条件:(A)环路功率增益必须等于1。(B)环路相移必须等于0、2π、4π等。弧度
什么是串联或并联谐振频率？
从下图可以明显看出，压电石英晶体单元有两个零相位频率。第一个，或两者中较低的，是串联谐振频率，通常缩写为Fs。零相位的两个频率中的第二个或更高的频率是平行或反谐振频率，通常缩写为Fa。在振荡器电路中，串联和并联谐振频率都表现为电阻性。在串联谐振点，电阻最小，电流最大。
在并联点，电阻最大，电流最小。因此，并联谐振频率Fa不得用作振荡器电路的控制频率。
通过在振荡器电路的反馈回路中包含电抗元件(通常是电容器),可以使石英晶体单元在串联和并联谐振点之间的线上的任意点振荡。fs和fa频率由压电陶瓷材料及其物理参数决定。等效电路常数可由以下公式确定:
晶体的CL值是多少？它对什么有影响？
所有石英晶体谐振器都有一个串联谐振频率(fs，最低阻抗的频率)。在此频率下，晶体在电路中表现为阻性。通过增加与晶体串联的电抗(电容),可以将晶体从这个串联频率中“拉出来”。当与外部负载电容(CL)一起工作时，晶体在略高于其串联谐振频率的频率范围内振荡。这是并联(负载谐振)频率。
订购并联晶振时，务必指定标称并联谐振频率和负载电容，单位为皮法(pF)。例如，可以订购CL的标准值(如15pF );然后计算电容值以匹配晶体C1。
Mfr Part #
Mfr
Supplier
Description
Series
Frequency
Frequency Tolerance
Load Capacitance
XTL721-Q23-048
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
6pF
XTL721-S349-005
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL721-S999-301
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL721-S999-429
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
6pF
XTL741-S999-319
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL741-U11-402
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768K晶振 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL741-S999-298
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL741-S999-379
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
7pF
XTL741-S999-327
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL74
32.768 kHz
±20ppm
4pF
XTL721-S999-286
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL72
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL751-S999-544
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
12.5pF
XTL751-S999-548
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
9pF
XTL751-S999-420
Siward
Siward
CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL
XTL75
32.768 kHz
±20ppm
7pF
负载频率取决于CL值，其公式如下所示。
如果输出晶振频率高于目标频率，则应增加外部电容CL(或Cd & Cg的值)，以将频率降至目标频率。另一种方法是，如果频率高于中心频率，则采用电容较低的晶体。
晶体的频率牵引能力不够或牵引范围不对称。
(1)如下图所示，电路的负载电容与牵拉性成反比。结果表明，负载电容越小，频率牵引范围越大，反之亦然。
(2)另一方面，无源晶体特性也影响频率牵引范围。例如，有配平灵敏度(TS)、一氧化碳和C1。负载电容增量变化的小数频率变化称为TS。当C1变大或Co变小时，频率牵引能力变大。
(3)如果提拉范围不对称，即一边提拉不够，另一边提拉太大，我们可以调整晶体的负载电容值。
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